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n之间的界面结构，发现了由掺杂造成的algan/gan多量子井晶体结构恶化的原因。该系列结果使得制备高性能的紫外发光二极管成为可能。 三、与美国南卡莱罗纳大学m. asif kha
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
变电路的工作频率，调节输出电流，实现恒流控制。实验结果表明，该电源具有输出功率大、尖峰电流小和晶体管电压应力小的优点，适用于大功率输出的场
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124898.htm2014/1/17 11:25:44
晶盛机电近日在接受机构调研时透露，公司在上虞厂区的蓝宝石项目中试基地正在进行大规格晶体拉晶工艺的优化研发，以期达到高的成品率与更低的生产成本。
https://www.alighting.cn/news/20140117/111316.htm2014/1/17 11:14:41
度达到12米，重量超过半吨，800个晶体模块被不锈钢构件链接，内置led照明系统。这盏水晶吊灯的造型极为现代，从天花板上垂下的四条线在空中交接。不对称，不规则，却优雅的与老建筑共
https://www.alighting.cn/case/2013/12/20/181414_77.htm2013/12/20 18:14:14
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
构，利用两种以上不同折射率(或介电常数)材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体(photoniccrystal)被发现已将近20 年后的今天，在各领域的应用有著相当令
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11117_28.htm2013/12/13 11:11:07
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
led光衰(leddroop)是由俄歇复合(augerrecombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的，三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包
https://www.alighting.cn/resource/20131205/125038.htm2013/12/5 10:48:58
为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利，各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术，目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的，但是，uv led 仍旧有
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31
