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本文介绍的各项研究是与知名的第三方机构共同开展的，目的是检验极特先进科技有限公司的高级蓝宝石晶体长晶炉(asf?)生产的蓝宝石的粉红色调对led晶片或标准led制造工艺有何影响。研
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:07:54
c 外延片和蓝宝石晶片上都取得突
https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31
本文为南京工业大学电光源材料研究所所长王海波先生关于《led和oled照明的发展现状》的演讲，主要总政策和目前业内光效水准开始，讲到外延的生产，设备发展状况，行业的标准状况…
https://www.alighting.cn/resource/20111213/126802.htm2011/12/13 15:04:49
最新调研调查了各led 企业截至2012 年第四季度的mocvd 采购计划，下调了2011 机台数至870 台，如图1 所示，降低了20%，led 厂商推后2011 年计划好的安装
https://www.alighting.cn/2011/12/5 12:23:13
led行业是一个高技术壁垒的行业，这里指的是上游芯片和外延片，该环节目前占到了整个产业链产值的70% 。做led芯片、外延片要比单纯做封装、做下游应用产品难得多，这当中涉及技术
https://www.alighting.cn/resource/20111114/126899.htm2011/11/14 11:09:18
led制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍，至关重要的是所有的生产步骤的推进都要产生最佳的效果。优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器件的输出并
https://www.alighting.cn/resource/20111104/126921.htm2011/11/4 14:05:13
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
导读： 效率下降是阻碍gan基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
