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近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
led路灯是低电压、大电流的驱动器件，其发光的强度由流过led的电流决定，电流过强会引起led的衰减，电流过弱会影响led的发光强度，因此led的驱动需要提供恒流电源，以保证大功
https://www.alighting.cn/2013/12/19 10:00:18
光纤作为新世纪光学传导的一种全新载体，以其不导电、重量轻、容量大、耐高温和电磁辐射、柔性好、使用方便等优点被广泛应用于通信、照明及各种传感领域。通过对光纤的基本原理及组成的介
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/18/19428_06.htm2013/12/18 19:04:28
二大amoled产能所在
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/18/93245_54.htm2013/12/18 9:32:45
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
为200μm×200μm的芯片分别通高达500ma的大电流在测试台上加速老化。结果表明：刻蚀深度为0.8和1.29μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片，其正向电压更低且光强衰
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
为了获得充分的白光led光束，曾经开发大尺寸led芯片，试图以此方式达成预期目标。实际上在白光led上施加的电功率持续超过1w以上时光束反而会下降，发光效率则相对降低20%~30
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/11/153931_83.htm2013/12/11 15:39:31
封裝最主要的目的為保護裡面的晶片以及放大電極方便電路電源或控制訊號線路之引接。一般一個晶片(chip)到我們使用產品須經三階基本的封裝，而一階重點在晶片的保護及電極放大、二階在電
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125016.htm2013/12/11 12:02:47
基于led发光特性， 本文设计了一种宽电压输入、大电流、高调光比led恒流驱动芯片。该芯片采用迟滞电流控制模式， 可以用于驱动一颗或多颗串联led。在6v~30v的宽输入电压范围
https://www.alighting.cn/resource/20131129/125062.htm2013/11/29 10:11:37
国产化之天时–产业发展、技术创新、社会进步：1、良好的产业大环境：产业稳健发展、设备和技术保持稳定增长的需求态势；2、社会总体技术水平进步以及国产自身品质过硬：基础技术整体发展
https://www.alighting.cn/resource/20131127/125076.htm2013/11/27 10:32:54
