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采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53
提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度led封装技术。该技术采用光电子与微电子技术相结合,利用背面出光的led芯片,倒装焊接在有双向浪涌和静电保护电路的硅基
https://www.alighting.cn/2013/5/23 11:36:13
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
gan是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。gang基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
内, 焊接后的功率型led 光电特性和出光一致性较好, 证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
2月20日-3月20日，国内外电子行业指数出现较大幅波动。在经过前一个月的大涨后，本月a股申万电子元器件指数先上涨，之后快速回落;费城半导体指数在下跌后反弹，继续往上走，本月涨
https://www.alighting.cn/2012/4/7 14:49:14
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的gan基ingan/gan多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值，inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右，而不是先前普遍接受的1.9ev，所以通过调节合金组分可以获得从0
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13
北海道大学和日立制作所开发出了使用半导体检测器的人体用正电子发射体层摄影（pet）技术。此前已有使用半导体检测器的小动物用pet，而“用于人体还是全球首次”（日立制作所）。利用此
https://www.alighting.cn/resource/20081105/128624.htm2008/11/5 0:00:00
