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led显示屏技术参数

厂产品,整屏亮度和发光一致性好。★ 系统稳定成熟,安装简单无需调试,故障率极低。★ 根据不同使用要求,可采用同步或异步方式。 ★ 主要技术参数基色 单色 像素直径〔mm〕 3.0 3

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179851.html2011/5/20 0:23:00

led路灯的技术要点分析

状的一次光学透镜,在led芯片封装时直接安装,具有体积小、成本低的特点,完全符合led路灯和道路照明要求(图一)。   随着封装技术的进步,白光led的封装方式由单颗1w大功率le

  http://blog.alighting.cn/bolunteled/archive/2010/7/22/57141.html2010/7/22 14:37:00

led封装结构及其技术

有电参数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00

led封装结构及其技术

下,分立器件的管芯被密封在封装体内,封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而led封装则是完成输出电信号,保护管芯正常工作,输出:可见光的功能,既有电参数,又有光参数的设计及技术

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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