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si衬底gan基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

si衬底gan基led外延薄膜转移至金属基板的应力变化

膜应力变化。研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的gan薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的gan薄膜张应力最小。(2)随着铬基板中铬主体层厚度的增

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

筒灯开口尺寸通用标准

很多客户购买led筒灯的客户会问到筒灯尺寸的问题,经常购买筒灯的朋友,和一些装修的老师他们对筒灯尺寸规格很明了,这里写下这些筒灯尺寸规格数据,希望对新手朋友有用!

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 16:38:44

lighttools在led背光设计中的应用

在背光的设计中,一个主要的目标和挑战是保证在垂直于光的传播方向上提升光的利用效率。在背光模组中是通过导光板来实现这一目标的,设计的关键就在于找到一种合理的网点分布以获得均匀的亮度分

  https://www.alighting.cn/2011/9/29 13:58:04

led照明的光栅光调制器光学特性分析与实验

对成像对比度具有较大的影响,通过滤色片将光源带宽减小到13nm时,像面上的对比度约为150,进一步减小带宽至10nm,对比度将达到225。光源的尺寸在与光源到光栅光调制器之间的距

  https://www.alighting.cn/2011/9/26 16:24:05

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

led照明灯具设计分析

途\配光曲线\尺寸规格的常识,不需一蔑追求在法线上(零度角)的照度值,有些灯具是按空间照度计算,有些是用来作气氛,也有作为半观赏用

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/20/183232_19.htm2011/9/20 18:32:32

gan led量子阱光发射模型

拟结果表明led的光发射效率和波长依赖于有源区in组分变化引起的势能涨落和阱尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

浅析:常用电阻的优劣对比

以下技术对比中将讨论线绕电阻在精密电路中的应用。不过请注意,线绕电阻没有晶片型,因此,受重量和尺寸限制需要采用精密晶片电阻的应用不使用这种电阻。

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127149.htm2011/9/14 10:08:29

膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ito薄膜性质的影响

现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23

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