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氮化镓晶体管的开关频率非常高,这种开关速度对驱动器中的线圈和储能电容的尺寸有很大的影响。氮化镓驱动器的开关速度比硅基驱动器的10倍。因此驱动可以做得更小更便宜,整个led灯更轻更
https://www.alighting.cn/resource/20140327/124727.htm2014/3/27 13:41:27
士曾受邀在120多场国内、国际行业论坛致邀请报告,同时有30多篇文章被sci和ei收录。 邵博士毕业于清华大学,并获得物理电子与光电子博士学位,对于iii-v氮化物材料外延、半
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/25/349660.html2014/3/25 13:44:34
子博士学位,对于iii-v氮化物材料外延、半导体制程开发(高功率高亮度led、高电子迁移率晶体管、激光二极管、半导体探测器)、直流&射频溅射、电子束&热淀积、光刻工
http://blog.alighting.cn/206539/archive/2014/3/25/349659.html2014/3/25 13:35:35
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress),这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
近日,由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化镓基led用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。
https://www.alighting.cn/news/20140320/97988.htm2014/3/20 11:57:50
月,半导体材料专业硕士在读,获半导体材料硕士学位。 2000年9月赴美国亚历桑那州立大学学习,师从iii族氮化物领域著名科学家prof. fernando a. ponce,进
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/11/349148.html2014/3/11 17:53:32
业,获金属材料学士学位;1997年9月-2000年7月,半导体材料专业硕士在读,获半导体材料硕士学位。 2000年9月赴美国亚历桑那州立大学学习,师从iii族氮化物领域著名科学
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
管(led)晶圆的氮化镓技术产品供
https://www.alighting.cn/news/20140306/111075.htm2014/3/6 14:58:15
jonathan harris表示,一种新型的氮化铝(ain)陶瓷技术,可以在为hb led提供足够的散热性能的同时,拉近其与氧化铝封装的价格点。
https://www.alighting.cn/resource/20140224/124830.htm2014/2/24 14:06:25
得益于照明以及平板电脑和手机的背光需求,2013年全球氮化镓led营收从2012的112亿美元增至124亿美元,增幅为10.6%,但这将是该市场最后一次市场两位数增长,到2014
https://www.alighting.cn/news/20140219/98146.htm2014/2/19 9:53:42