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研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅基GaN基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有
https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25
影响led散热的主要因素包含了led晶粒、晶粒载板、晶片封装及模组的材质与设计,而led及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出,所以led晶粒 基板及led晶片封装的设计
https://www.alighting.cn/2012/8/31 16:13:49
摘要:结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
结合功率型GaN 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
荧光粉是led中最重要的关键技术和原材料之一,2011年国内led荧光粉的需求量将达2.5亿元,并且随着led技术的不断进步,对各种荧光粉的需求将会保持可观的增长率。但是目前国内缺
https://www.alighting.cn/resource/20120503/126581.htm2012/5/3 16:20:00
β-ga2o3不仅可用于功率元件,而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等,应用范围很广。其中,使用GaN类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是,
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
与sic和GaN相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
为改善GaN 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49