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高亮度led（hbled）相比传统的led具有高得多的性能，但是同时具有更高的成本。这两个因素决定了hbled在研发和生产阶段的测试方式。
https://www.alighting.cn/2011/10/21 13:14:01
温的生长温度及热效应等因素相关
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
本文拟在通过研究和分析国内外led照明技术和应用现状的基础上，从宏观角度对led在照明领域中的应用前景进行分析，使led照明能健康地发展，进一步推动我国绿色照明工程步入一个新的阶
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/19/173955_93.htm2011/10/19 17:39:55
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
