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江风益:需解决硅衬做led芯片几大关键技术

从现有水平看,硅衬半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术,包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

  https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00

国内最大蓝宝石衬项目落户海盐 亿元产业链形成

日前,该产业园吸引了6家企业进驻,分布在上游外延片、蓝宝石衬,中游芯片以及下游封装、应用及配套材料等各个环节,产业链已具雏形。而海盐led企业在上游环节尤其具备竞争优势。

  https://www.alighting.cn/news/20110919/100068.htm2011/9/19 10:41:03

东芝与普瑞光电合作制造出8英寸矽衬led芯片

虽然东芝和普瑞光电合作仅数月,他们已经对外公布在8英寸矽衬生长出高品质的gan,所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v,电流为350ma的情况下该芯片功耗为61

  https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52

晶能光电ceo王敏揭秘硅衬led背后的故事

时隔两年,再次见到晶能光电(江西)有限公司ceo王敏,是在2015年度国家科技奖励大会召开前夕。因为自主研制硅衬led芯片并将其产业化推向全球市场,他和他的团队一举摘下国家技

  https://www.alighting.cn/news/20160203/136922.htm2016/2/3 10:00:38

玻璃和柔性衬上氧化铟锡薄膜特性的对比研究

上生长出高质量的ito薄

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32

蓝宝石衬的超光滑表面加工进展

回顾了(0001)面蓝宝石衬在led的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127214.htm2011/9/1 14:20:00

硅衬gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

皓天光电:大尺寸的蓝宝石衬是发展趋势

在led产业链金字塔最上游的蓝宝石衬材料业是否也会春光无限?随着各大蓝宝石项目量产的峰期出现,产能过剩是否会持续,未来蓝宝石衬价格走势如何?新世纪led网记者特邀请国内le

  https://www.alighting.cn/news/20120309/85578.htm2012/3/9 14:12:20

蓝宝石/氮化铝衬上sic外延薄膜的x射线衍射分析

介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12

硅衬gan基垂直结构高效led的最新进展

附件为《硅衬gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40

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