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国内led芯片公司竞赛格式逐渐成型

这些年led的张狂扩大致使产能过剩,商品报价不断跌落之后,当时国内led芯片工业如今已逐渐康复理性开展,跟着下流照明商场的逐渐翻开,背光需要的回温,报价跌落脚步已逐渐缩短,国

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/12/323311.html2013/8/12 15:14:13

剖析国内led芯片工业状况:竞赛格式逐渐成型

在2009-2011年的张狂扩大致使产能过剩,商品报价不断跌落之后,当时国内led芯片工业如今已逐渐康复理性开展,跟着下流照明商场的逐渐翻开,背光需要的回温,报价跌落脚步已逐渐缩

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/8/323095.html2013/8/8 13:46:05

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

cree芯片smd 3528 5050 3629 5050 led

全避专利led,采用美国cree芯片+日本专利荧光粉=全避专利led,可以出口日本.欧美等全世界,如果有专利纠纷我司全全负责 cree芯片smd 3528 5050 3629可

  http://blog.alighting.cn/pzc1222/archive/2009/12/22/22015.html2009/12/22 19:31:00

led大功率芯片遭冷遇逆袭难

犹如国人关于国产航母的张狂,大功率芯片完成国产化也一向为led工业所希冀。不少led公司就现已瞄准了国内大功率芯片的宽广商场,开端向大功率芯片范畴跨进,而国家关于大功率芯片的方

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/12/323313.html2013/8/12 15:15:24

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