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采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
这份是专门针对全球及中国蓝宝石晶棒产业的深度报告，研究中心采用客观公正的方式对蓝宝石晶棒产业的发展走势进行了深度分析阐述，方便客户进行蓝宝石晶棒行业发展规划，投资决策，本项目在运作
https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:46:44
本文採取由上而下的方式，阐述亚洲蓝宝石长晶产业的趋势变化与厂商佈局策略，首先针对全球蓝宝石长晶产业现况与近年趋势加以说明;其次选取亚洲投入最为积极的韩国、中国与台湾的蓝宝石长晶产业
https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:05:18
为过去两年所新增的产能必须先消化，mocvd供应商则必须等到2012年年底才能走出低
https://www.alighting.cn/2012/2/1 10:24:33
蓝宝石(al2o3，英文名为sapphire)为製成氮化镓(gan)磊晶发光层的主要基板材质，gan可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichia
https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22
本文为晶科电子(广州)有限公司侯宇先生所讲解之《半导体工艺和硅片衬底流程简介》，从半导体的角度去讲解硅片衬底，以及led衬底的制作流程，通过这个教材会对半导体的加工流程和基本形
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126938.htm2011/10/31 20:11:17
led本身不断进行高辉度、低消费电力、长寿命进化，市场对le的低价化要求也越来越强烈，因此各led厂商革新制程成为主要课题。接着要介绍高效率切割高辉度led蓝宝石基板的雷射加工技术
https://www.alighting.cn/2011/10/28 17:41:03
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
