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在晶能光电硅衬底小功率led芯片量产后不久，研究再一次遇到困难，在硅衬底大功率led芯片上，硅基图形化技术开始显得“力不从心”，外延膜由于变形导致龟裂的问题再次出现，芯片制造技
https://www.alighting.cn/news/20160308/137702.htm2016/3/8 9:22:17
月召开的国家科学技术奖励大会上，2015年度唯一一个国家技术发明一等奖颁发给了我省的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管(简称硅衬底led)”项
https://www.alighting.cn/news/20160307/137672.htm2016/3/7 9:53:08
n)或蓝宝石基材上生长led的最新成果。利用在m-plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效
https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40
在led的制备过程中，上游的衬底材料是决定led颜色、亮度、寿命等性能指标的主要因素。衬底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格
https://www.alighting.cn/news/20160222/137107.htm2016/2/22 10:04:13
体新材料制备与应用技术被包含于“金属材料”类别下，属于新材料高新技术领域。该类技术包括石墨烯制备及应用技术;大尺寸硅单晶生长、晶片抛光片、soi片及sige/si外延片制备加工技术
https://www.alighting.cn/news/20160220/137077.htm2016/2/20 9:34:38
瑞士半导体光源开发商exalos公司已经成功测试氮化镓(GaN)超辐射发光二极管(sled)的寿命，在特定测试条件下，sled寿命预计能达到5000小时以上。exalos公司表
https://www.alighting.cn/news/20160218/137029.htm2016/2/18 10:09:47
英国剑桥大学(university of cambridge)与2家半导体公司日前合作利用立方氮化镓(cubic GaN;或称3c GaN)材料，做为绿光led发光材料，希望能解
https://www.alighting.cn/news/20160218/137022.htm2016/2/18 9:50:01
作为目前led外延芯片产能已经跃居国内第二的上市公司，在全球范围内led照明发展如火如荼的背景下，华灿光电在产能扩张、新品开发、成本管控等诸多方面正在频频发力，一盘新的棋局正在形
https://www.alighting.cn/news/20160210/136953.htm2016/2/10 9:47:50
据悉，led外延片和芯片制造商新世纪光电(genesis photonics)已经开始为日本厂商供应汽车内部照明led器件。新世纪光电也研发了已获得认证的汽车前照灯应用csp(芯
https://www.alighting.cn/news/20160118/136480.htm2016/1/18 9:43:33
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
