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美科学家研制新的氮化镓—锑合金,让光电催化水解制氢更快捷

科学家们在美国能源部的资助下,借用最先进的理论计算证明,在氮化镓(GaN)化合物中,2%的氮化镓由锑(sb)替代,这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳

  https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07

2011年mocvd设备相关数据变化及预测

ims research 6月发布的上一季度报告中,由于今年上半年供应过剩增加,lcd和led面板增长缓慢以及照明市场成本没有竞争力使得2011年上半年asp降低,GaN le

  https://www.alighting.cn/news/20110816/90334.htm2011/8/16 10:35:28

translucent宣布vGaN晶片模板的商业可行性

translucent称其vGaN产线是世界上第一条可盈利的可扩展reo基GaN衬底“iii-n半导体”的生产源。透明reo层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表

  https://www.alighting.cn/news/20110811/115128.htm2011/8/11 10:01:28

led路灯技术发展现状及未来发展方向探讨

大功率led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是,大功率led路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管,发光二极

  https://www.alighting.cn/news/20110810/90405.htm2011/8/10 9:48:59

bridgelux募集6000万美元攻关封装技术

bridgelux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。

  https://www.alighting.cn/news/201189/n698133772.htm2011/8/9 8:49:56

【alls视频】王成新:大功率GaN led技术

士发表了《大功率GaN led技术》的专题演

  https://www.alighting.cn/news/20110808/108974.htm2011/8/8 19:57:21

bridgelux募集6000万美元用于GaN外延技术研发

bridgelux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54

【alls视频】张国义:GaN同质外延和竖直结构大功率led

光粉的白光发光二极管研究》的报告,通过例举学术界的多项研究,向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介

  https://www.alighting.cn/news/20110725/108982.htm2011/7/25 14:35:50

日本牛尾电机成功开发led用激光剥离装置

而激光剥离装置“ux4-leds llo150”用于从蓝宝石(al2o3)基板上剥离氮化镓(GaN)膜,实现蓝宝石基板的重复利用

  https://www.alighting.cn/news/20110722/115088.htm2011/7/22 10:33:30

2011年GaN led市场有望增长38% 达到108亿美元

imsresearch预测分析,2011年在led电视、显示器和普通照明领域,氮化镓(蓝/绿)led销售额都会快速增长。其中用在led电视应用领域的增长最快,有望增长97%至43亿

  https://www.alighting.cn/news/20110713/90494.htm2011/7/13 10:01:24

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