站内搜索
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
续可见光谱，同时只发放微量uv和ir,是一种高效能照明系
https://www.alighting.cn/resource/20100317/128858.htm2010/3/17 0:00:00
实验采用碳酸锂、氧化钨、氧化铕制备了lieuw2o8发光粉,通过扫描电镜和光谱仪分别研究了它的形貌与光谱特征。结果显示:lieuw2o8发光粉的激发光谱较宽,非常适合于近紫外、蓝
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16
半导体照明技术与其他任何技术一样，有其专有的术语。这些特殊术语及观念被用来定义灯及灯具的特徴并将测量单位统一化。本文简要的介绍了一些重要的照明用语，作为基础知识帮助大家去了解；
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126948.htm2011/10/31 10:49:23
采用高温固相反应法制备sr3al2o6-3x/2nx∶eu2+发光材料。发光光谱分析表明,该材料在400~550nm可见光激发下,发射光谱为峰值波长为600 nm的宽带谱。xr
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56
采用高温固相法制备了nay(wo4)2:eu3+发光材料。分别用x射线粉末衍射(xrd)、发光光谱(pl)等手段研究了发光粉的晶体结构以及发光性能。
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125766.htm2013/4/3 10:59:23
目前我们使用的白色LED的实质是半导体荧光灯，它的基本特性和普通荧光灯一致，它的性能指标远比我们的期望值要差许多，不可以将其神化，半导体荧光灯，应该走下神坛。LED和半导体荧光
https://www.alighting.cn/resource/201022/V22822.htm2010/2/2 16:19:00
LED显示屏的供电系统简要介绍。
https://www.alighting.cn/resource/20080901/128952.htm2008/9/1 0:00:00
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的zno薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的zno薄膜,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06
