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LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

LED大功率发光芯片常出现的2个问题

关键词:LED照明 LED亮化 LED灯  LED大功率芯片普遍存在着两个大问题,这两个问题存来自芯片自身的不足、人为安装和电源不稳定等造成的。这两大问题是怎样存在的,如何解

  http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/17/359180.html2014/10/17 10:35:01

2014年国产LED芯片迎来“翻身”

产业的不断渗透下,LED芯片的市场需求量也是不持续上扬。今年7月份,华灿光电和聚建光电先后发布了2014年上半年业绩报告,前者净利润预增185%-215%,后者净利润预增247%

  http://blog.alighting.cn/2803984315/archive/2014/8/19/356360.html2014/8/19 15:53:34

我国首台国产LED芯片设备mocvd机台下线

我国国产的代表国际尖端水准的高亮度LED芯片生产关键设备mocvd(金属有机化学气相沉积设备)在正泰集团上海张江理想能源设备有限公司6日成功下线,打破了该领域长期被欧美企业垄

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/7/302819.html2012/12/7 20:46:07

我国首台国产LED芯片设备mocvd机台下线

我国国产的代表国际尖端水准的高亮度LED芯片生产关键设备mocvd(金属有机化学气相沉积设备)在正泰集团上海张江理想能源设备有限公司6日成功下线,打破了该领域长期被欧美企业垄

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304165.html2012/12/17 19:33:48

LED灯具呈低落趋向 芯片巨擘面临库存压力

物更能被用户担当,而他们也以进步光效来低落本钱,获得市场利润,在2011年低落芯片本钱的趋向下,LED景观灯胆价格将连续下滑,大尺寸液晶背光与LED照明灯无望成为推进的双引

  http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/9/17/236636.html2011/9/17 16:06:19

硅衬底LED芯片主要制造工艺

发,目前已通过科技部项目验收。   1、si衬底LED芯片制造   1.1 技术路线   在si衬底上生长gan,制作LED蓝光芯片。   工艺流程:在si衬底上生长al

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

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