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vishay公司日前宣布，推出3颗采用小尺寸powerpak so-8l封装的N沟道器件---sihj8N60e、sihj6N65e和sihj7N65e，扩充其600v和650v
https://www.alighting.cn/pingce/20160719/142006.htm2016/7/19 9:49:46
日前，Nokero推出N100的升级版N200新款防水太阳能led灯，其发光时间增加了3倍。
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122916.htm2012/3/23 9:18:55
果需要产生350毫安的恒定电流，您将需要：r=v/i，此时r=(5v-3.0v)/350ma=5.7ω。 可以看到，采用这些值，r将消耗r×i2即0.7瓦(几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
要产生350毫安的恒定电流，您将需要：r=v/i，此时r=(5v-3.0v)/350ma=5.7ω。可以看到，采用这些值，r将消耗r×i2即0.7瓦(几乎相当于led的功率)，因此总
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230337.html2011/7/20 0:14:00
ezbright700在300毫安和700毫安电流下的输出功率分别达到260毫瓦和350毫瓦。
https://www.alighting.cn/news/200773/V8067.htm2007/7/3 10:33:44
2,N3,N4,p2,p3，p4，q2,q3.q4,q5）3.正常工作电流:350ma-700ma, 700ma工作时光通量是350ma工作时的1.65倍，最大支持1000ma 4
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165817.html2011/4/16 19:01:00
8lm/350ma140-160lm/700ma3.p4系列（1-3w通用）N42180（暖白）s1sjosko（暖白）色温：2800-3200k50-60lm/1w4.p4系列（
http://blog.alighting.cn/pzc1222/archive/2008/9/1/9038.html2008/9/1 14:01:00
http://blog.alighting.cn/pzc1222/archive/2008/9/1/9039.html2008/9/1 14:01:00
N缓冲层→生长N型gaN→生长iNgaN/gaN多量子阱发光层→生长p型aigaN层→生长p型gaN层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作N型掺si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
技部项目验收。 si衬底led芯片制造 1.1技术路线 在si衬底上生长gaN，制作led蓝光芯片。 工艺流程：在si衬底上生长alN缓冲层→生长N型gaN
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
