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http://blog.alighting.cn/si6455/2008/8/15 10:28:31
直管型led灯的目标是取代办公室等使用的直管型荧光灯。松下于2010年12月24日开始供货首款支持日本灯泡工业会规格“jel801：2010”的直管型led灯系统。该led灯系
https://www.alighting.cn/resource/20110713/127430.htm2011/7/13 11:28:31
本书系统地介绍有关白发光二极管的制造方法及固体照明。本书内容详细丰富，包括固体照明概述，发光二极管光取出原理及方法。附件为《半导体发光二极管及固体照明》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150319/83615.htm2015/3/19 19:37:57
制作了一个基于碳纳米管场发射的发光二极管 ,实验结果表明 ,这种发光二极管驱动场强低 ,亮度高 ,能够满足常用显示器和发光管的亮度要求 ,同时也用边界元法讨论了碳纳米管之间的场屏
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126079.htm2013/2/1 9:56:01
本文研究了衬底驱动mos管技术和运用这一技术进行低电压低功耗模拟电路设计的方法，并且运用这种技术设计低电压低功耗衬底驱动跨导运算放大器和电流差分跨导放大器。
https://www.alighting.cn/2014/12/31 11:00:28
普通照明用发光二极管性能要求(qbt 4057-2010)：本标准规定了普通照明用的发光二极管(简称led)的分类、技术要求、试验方法、检定规则和标志、包装、运输、贮存。本标准
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/2/16351_96.htm2011/3/2 16:03:51
strategy analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓(Si gaas) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(Si gaa
https://www.alighting.cn/news/20090806/92793.htm2009/8/6 0:00:00
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
韩国知识经济部5日表示，韩国将投入300亿韩元于2013年前在韩国普通家庭中普及有机发光二极管(oled)照明。
https://www.alighting.cn/news/201057/V23625.htm2010/5/7 8:30:21
厦门华联发光二极管红外遥控接收放大器荣获第九届中国国际高新技术成果交易会拥有自主知识产权证书。
https://www.alighting.cn/news/20071116/101554.htm2007/11/16 0:00:00
