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早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
https://www.alighting.cn/resource/20081127/128639.htm2008/11/27 0:00:00
长在蓝宝石或SiC衬底上，但是这两种衬底部都比较昂贵，尤其是碳化硅，而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点，人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比较。评价衬底材料必须综合考虑下列因素：1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(SiC)与硅基氮化镓(gan-on-si)，凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
件碳化硅晶圆衬底业务，全现金交易的收购价格为8.5亿美元。据了解，这项收购能巩固英飞凌在化合物半导体包括SiC、氮化镓上硅(氮化镓上硅)和氮化镓碳化硅产品的领先地
https://www.alighting.cn/news/20160718/141960.htm2016/7/18 9:27:40
xl5036b立式升降台铣床是一种通用金属切削机床。本机床的主轴锥孔可直接或通过附件安装各种圆柱铣刀、成型铣刀、端面铣刀、角度铣刀等刀具，适用于加工各种零部件的平面、斜面、沟槽、
http://blog.alighting.cn/xiangyu/archive/2009/4/6/2876.html2009/4/6 15:10:00
联，而集成led则是串并联。集成led的特点是在一个大晶片上采用开槽的方法，将其切割成为很多小的led，沟槽的深度约在4-8μm，沟槽不能太宽以免减小发光面积。在开出沟槽以后，为
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/10/10/243713.html2011/10/10 11:52:47
http://blog.alighting.cn/binxuegandan/archive/2011/10/14/244609.html2011/10/14 8:39:01
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282553.html2012/7/19 10:57:42
d的功率大幅提高(相对现在的1w),这样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00
