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本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
以氧化铝及硅作为led集成封装基板材料的热阻比较分析，详细说明这些材料做的热阻的导热性和绝缘性，以及导致的问题对led光源性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/5/11218_46.htm2011/1/5 11:21:08
系(algainp)led外延片及芯片项目，高效三结砷化鎵太阳能电池外延片项目和企业技术研发中心建设项目，预计总投资人民币4.50亿元，其餘将用于其它与主营业务相关的营运资金项
https://www.alighting.cn/resource/20100805/127924.htm2010/8/5 10:12:04
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:52:36
出满足预期要求、散热片相关成本更低的灯具和照明
https://www.alighting.cn/resource/20131129/125058.htm2013/11/29 15:02:13
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下：
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124385.htm2014/8/4 10:16:22
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
