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通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
随着工艺的进步，芯片内的电路密度成倍提高，并且运行在以前数倍的频率之上，而片上连线则越来越细，片上供电网络必须将更多的电力以更少的连线资源送至每个单元，如果不能做到这一点，芯
https://www.alighting.cn/resource/20140811/124364.htm2014/8/11 14:10:07
led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前，它是许多led芯片和封
https://www.alighting.cn/2013/2/27 10:58:01
光收发芯片是高速光模块的核心器件，也是光通信系统接入网的关键器件，一直以来都是光通信领域的研究热点。激光器平均光功率和消光比参数控制、实时数字诊断侦测是光模块的重要性能指标，在
https://www.alighting.cn/resource/20140417/124667.htm2014/4/17 13:40:35
实验结果表明，不仅热电制冷片热端冷却水流量是影响冷却效果的重要因素，而且热电电流和芯片功率与热电冷却性能也有着密切的关系。实验结果对热电冷却器的最佳冷却性能的确定具有一定的参考意
https://www.alighting.cn/resource/20141212/123928.htm2014/12/12 15:05:59
基于pn结的光生伏特效应，本文研究了一种非接触式led芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流，检测led封装过程中芯片质镀及芯片与支架之间的电气连
https://www.alighting.cn/resource/20091216/129005.htm2009/12/16 0:00:00
技术发展迅猛、市场规模日益扩大、水平高低不一，总体实力与国际先进水平相比还存在较大差距，是当前我国大功率led产业现状的真实写照。国产大功率led芯片的封装性能也不例外，本文将
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/17549_58.htm2011/7/21 17:54:09
tl494是一种开关电源脉宽调制(pwm)控制芯片，它包含了开关电源控制的所有功能，它优异性能夺得了工程师和电源制造商的青睐，因此广泛应用于单端正激双管式、半桥式、全桥式开关电源
https://www.alighting.cn/resource/20150212/123588.htm2015/2/12 9:58:34
为了解决显示系统运行温度较高的问题，本文也建议使用双芯片显示驱动结构，因为高功耗可被平均到每个芯片中(如图9所示)。由于平板电脑显示器的功耗高于智能手机的显示器，如果将单芯片显
https://www.alighting.cn/resource/20140703/124469.htm2014/7/3 10:42:41
本文试图尝试探讨照明级别led驱动芯片在发展过程中将会集中出现的几种技术发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20120903/126428.htm2012/9/3 11:48:09
