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发光二极管封装结构及技术

积小,成本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的led产量约占世界总量的12%,“十五”期间的产业目标是达到年

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,led要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,led要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00

台湾节能照明协会计划推动led认证

后发展相当重要的方向,另外,若能打造良善的后市场自律机制,并整合产业(合作)链共同拓展通路,对往后产业发展也会取得更有利的全球战略地位。  问:对相关人才、设计验证及设备国产化有

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230106.html2011/7/18 23:48:00

gan材料的特性及其应用

备是ap—MOCVD,反应器为卧式,并经过特殊设计改装。用国产的高纯tmga及nh3作为源程序材料,用dezn作为p型掺杂源,用(0001)蓝宝石与(111)硅作为衬底采用高频感

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00

led的封装技术比较

型led封装技术主要应满足以下两点要求:①封装结构要有高的取光效率;②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00

MOCVD购置补助或停止 led厂商扩产计划放缓

由于货币紧缩政策影响,中国led企业的财政补贴金额取得不易,影响扩产进度,加上整体终端销售不振与芯片价格大幅下降等因素,部分led芯片厂商产能利用率下降至五成,生产用机台转为工程研

  https://www.alighting.cn/news/20110718/90277.htm2011/7/18 10:15:34

led设备及MOCVD国产化成十二五规划新亮点

近年来,我国半导体照明市场发展迅速,资金纷纷涌入。据业内人士透露,尽管目前我国白光发光二极管产业发展比较快,但关键设备及材料的严重依赖进口,比如金属有机化学气相沉积、等离子刻蚀机等

  https://www.alighting.cn/news/20110718/90279.htm2011/7/18 9:55:28

大功率led在矿灯行业的应用概况

大的改善,基本消除了眼球震颤症的危害。该病是此前煤矿行业照明条件恶劣引起的一种严重的职业病(见图1)。2.2 led矿灯概况(1)2001年,第一代采用led光源的矿灯在我国产生,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229967.html2011/7/17 23:40:00

inn材料的电学特性

般的方法很难制备单晶体材料,目前制造inn薄膜最常用的方法是mbe、hvpe、磁控溅射、MOCVD技术。二是很难找到合适的衬底,由于inn单晶非常难获得,所以必须得异质外延inn薄

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

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