检索首页
阿拉丁已为您找到约 5225条相关结果 (用时 1.0148962 秒)

led芯片的技术发展状况

侧,正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低,为满足电流扩展的要求,覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led知识概述

led(light emittingdiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。led的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258532.html2011/12/19 10:58:35

高亮度led封装工艺技术及方案

l bonding),将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走,并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面,帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258601.html2011/12/19 11:02:23

高亮度led封装工艺技术及方案

l bonding),将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走,并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面,帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14

led知识概述

led(light emittingdiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。led的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44

led芯片的技术发展状况

侧,正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低,为满足电流扩展的要求,覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

高亮度led封装工艺技术及方案

l bonding),将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走,并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面,帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262639.html2012/1/29 0:35:04

led知识概述

led(light emittingdiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。led的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07

led芯片的技术发展状况

侧,正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低,为满足电流扩展的要求,覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

侧,正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低,为满足电流扩展的要求,覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

首页 上一页 158 159 160 161 162 163 164 165 下一页