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对mg阴极薄膜影响。 2 实验 用dm-450a型真空镀膜机，在玻璃基底上蒸镀mg，ag和mg/ag薄膜，并对薄膜样品进行热处理。清洗基片时，先将其在20%的氢氧化钠溶液
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
胶的选择 根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发射。以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
面下手，此层面的作法相当多，依据不同的化合材料也有不同，目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN，前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光，后者ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
洞在没有发光就被撷取了，在二者接合（再接合）时的能量，就会变成热释放出来，所以 GaN、inGaN从基本上来说，几乎不可能作为发光组件的材料。实际上，虽然缺点很多的GaN在室温条件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
要一个电感和一个肖特基二极管，这又额外增
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
进的白色led驱动器，它可通过mpu对电流进行控制，并集成了无源元件，从而节约了成本。linear公司推出片上集成肖特基二极管的白色led驱动器，这样，驱动电路只需两个外部电容器、一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组led的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smd电容c1，c2，c3和二极管d1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
量将被转移到led，只在肖特基二极管上有一些损耗。储存在电感中的能量为： eq1 系统可以以连续或非连续模式工作，两者之间的差别及对平均电流的影响将在后面部分中解释。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
