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一、项目名称：奥体南北街、奥体西路及新城大街照明施工 二、资金来源：财政拨款与银行贷款, 奥体南北街、奥体西路投资额约300万元；新城大街投资额约100万元。 三、建设地
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/7/18/229977.html2011/7/18 9:57:00
1 散热技术传统的指示灯型led 封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250～300 ℃
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
中一种plcc-4 结构封装形式,其功率约200~300mw, 这些结构的热阻一般为75~125 /w。 总之这些结构的功率led比原支架式封装的led 输入功率提高几倍,热阻下降几
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
品化的设备出售。目前国内外研究氮化镓衬底是用mocvd和hvpe两台设备分开进行的。即先用mocvd生长0.1～1微米的结晶层,再用hvpe生长约300微米的氮化镓衬底层,最后将原
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的led产量约占世界总量的12％,“十五”期间的产业目标是达到年产300
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
led焊接条件：(1)烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229904.html2011/7/17 23:07:00
产品应用常识和性能检测如下:(1)烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229901.html2011/7/17 23:06:00
d驱动电路拓扑结构以适合各方面客户的需求,产品已广泛地运用于照明,汽车电子,显示背光等领域。??天下明科技推出g220c300w01s01一种简单的led驱动模块。? 这种led驱
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229900.html2011/7/17 23:05:00
当,而通常每组信号灯需由上300～500只二极管构
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229898.html2011/7/17 23:04:00
