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x射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边峰位于 36 5nm
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
为了使发光二极管(led)照明灯具发出的光线在路表面的光照度分布更合理,能够更有效地使用有限光能量,现主要针对采用led的道路照明灯具,用专业的光学系统仿真模拟软
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127091.htm2011/9/23 9:55:36
在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范围
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
随着led产业迅速发展,使其中埋藏着专利危机,随时威胁着企业利润,文章说明了如何利用专利转危为机,并列举了可能采取的应对策略。
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127151.htm2011/9/14 9:33:43
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）a为正极，以n型半导体b为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05
本文为半导体led之普及版教材，文中对led基本的，专业性的概念和词语等用 鲜明的的图解方式详解给读者；
https://www.alighting.cn/resource/20110427/127689.htm2011/4/27 13:44:42
an approach, based on the correlation between the intensity distribution of object wave of
https://www.alighting.cn/resource/20110321/127863.htm2011/3/21 16:38:59
美国加州大学圣芭芭拉分校(ucsb)的研究人员最近报道首个封装大功率、高效半极性(30-3-1)蓝光led(452nm),相关文章请详见ingrid l. koslow等发表在 j
https://www.alighting.cn/resource/20100826/127974.htm2010/8/26 10:02:38
