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伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶：砷化??磊晶依制程的不同,可分为lpe(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相
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积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常
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外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生
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小,成本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。 国产红、绿、橙、黄的led产量约占世界总量的12％,“十五”期间的产业目标是达到年
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术英文名称；metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD)检索词：汽相外延；薄层外延；晶体生长技
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它生长速率很快(一分钟一微米以上),不能生长量子阱、超晶格等结构材料,在八十年代被MOCVD、mbe等技术淘汰。然而,恰是由于它生长速率快,可以生长氮化镓衬底,这种技术又在“死灰复燃
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外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生长iii-
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用到车站、银行、证券、医院、体育场馆、市政广尝演唱会、车站、机场等公共场所。国内led显示屏市场的国产率接近100％。此外,随着智能交通系统的发展与成熟,信息的及时全面发布成为交
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本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的led产量约占世界总量的12％,“十五”期间的产业目标是达到年产300
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学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下
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