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led封装,期待技术创新

率指标控制必须非常严格,这是封装业的重中之重。以往,制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面:一是关键的封装原材,如基板材、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271808.html2012/4/10 23:37:17

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底基片材采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271789.html2012/4/10 23:33:46

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

全彩显示屏专用led的选择和使用

响显示屏视频颜色的保真度。要做到红、绿、蓝三种led在不同角度时亮度变化的匹配一致性,需要在封装透镜设计、原物选择上严格进行科学设计,这取决于封装供应商的技术水平。法向方向白平衡再

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271752.html2012/4/10 23:31:05

led路灯光衰竭的解决建议

子,是经过奈米化处理,粒子细微不仅易于喷枪操作,也让同一涂布面积上的导热粒子又多又密集,让温度挥发透散的面积也变大,让led灯具的热能迅速的传导出去。软陶瓷散热漆属于热固型材,符

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271709.html2012/4/10 23:23:37

led光源与传统光源相比的显著特性

近100,色温5000k,最接近太阳色温5500k. 设计形状的多样性 国产led光源由许多单个led发光管组合而成的,超公司生产的led光源是芯片光源,因而比其他光源可做

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271698.html2012/4/10 23:22:51

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

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