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l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258601.html2011/12/19 11:02:23
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258640.html2011/12/19 11:10:19
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258873.html2011/12/20 15:58:01
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261393.html2012/1/8 20:27:34
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50
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大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261609.html2012/1/8 21:57:49
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262604.html2012/1/29 0:33:07
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