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管中窥豹 全球半导体照明产业将迎新局面

在开幕式上,五位国际精英的演讲和报告,为我们带来了全球半导体行业的前沿科技,最新资讯和具有前瞻性的发展策略,并对半导体照明产业的发展表示看好,全球半导体照明产业的新局面已经打开。

  https://www.alighting.cn/news/20111123/99985.htm2011/11/23 16:18:59

三星“忍痛割爱”解散新事业推进团队

据韩国《朝鲜日报》网站7月2日报道,三星集团近日解散了未来战略室下设的新事业推进团队,并于本月1日将全部团队成员恢复原职。

  https://www.alighting.cn/news/20130708/112347.htm2013/7/8 10:29:58

宏齐、康普等厂商将联合研发uv白光led封装工艺与发光材料整合技术

近日,台湾经济部召开第143次「业界科专计划指导会议」,通过了由宏齐科技、康普材料、双键化工、矽畿科技联合申请的「uv白光led封装工艺与发光材料整合型技术开发计划」。

  https://www.alighting.cn/news/20100921/105024.htm2010/9/21 0:00:00

凝胶型led封装材料基础聚合物的制备及性能

用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2d51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11

凝胶型led封装材料基础聚合物的制备及性能

用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2d51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材

  https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

x射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边峰位于 36 5nm

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

白光led用荧光材料 sr3b2o6∶eu3+ ,na+ 的制备及发光性能

采用高温固相法合成了可用于白光led的sr3b2o6∶eu3+,na+荧光粉。研究了煅烧时间、稀土eu3+掺杂量等条件对材料发光性能的影响。结果表明:适量掺入eu3+、na+之

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:33:42

pld方法制备的zno纳米柱结构及光学特性

采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

led路灯光强模拟分布及实验验证

为了使发光二极管(led)照明灯具发出的光线在路表面的光照度分布更合理,能够更有效地使用有限光能量,现主要针对采用led的道路照明灯具,用专业的光学系统仿真模拟软

  https://www.alighting.cn/resource/20110923/127091.htm2011/9/23 9:55:36

gan led量子阱光发射模型

在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

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