检索首页
阿拉丁已为您找到约 3691条相关结果 (用时 0.2315004 秒)

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材料选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

高亮度led发光效益技术

式。采用与医学用生命支持设备相同的技术,camd发展出一种载体(silicon carrier)或次黏着台(submount),以做为ingan芯片与导线框之间的内部固着介质;

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

未来新星 浅谈oled显示技术

近 30 lm/w。;能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多,采用低温多晶 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来;白光 oled 得到了广泛的重视,已制成的白光器

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262644.html2012/1/29 0:35:19

手机相机的led闪光灯驱动电路

路和升压开关管,但是电感和用于续流的肖特二极管还是外接的,这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外,由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端,与手机的射频电

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262634.html2012/1/29 0:34:44

大功率led封装以及散热技术

片温度不超过60℃。3.连接方法: 大功率led板与散热片连接时请保证两接触面平整,接触良好,为加强两接触面的结合程度,建议在led板底部或散热片表面涂敷一层导热脂(导热

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化(sic),氮化镓(gan),(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262614.html2012/1/29 0:33:37

首页 上一页 159 160 161 162 163 164 165 166 下一页