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压有特别要求按客户指定） 工作频率：2.65mhz适用功率：30w/40w/50w/60w/85w/100w底壳材料：1.0mm铁板安装附件：密封条、卡扣、紧固螺丝等全部厂配。适用场
http://blog.alighting.cn/yzsuwei/archive/2009/6/22/10932.html2009/6/22 18:10:00
上月底，上海市首个覆盖商务楼宇、重点耗能企业、创意园区的能耗在线监测平台一期工程在黄浦区建成。该平台实时监测并反映各楼宇、企业及园区的空调、照明、电梯等能耗数据，督促引导用能单
https://www.alighting.cn/news/2013111/n182148002.htm2013/1/11 12:47:13
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
以提高n在zno的固溶度。研究表明:n掺杂zno体系,由于n-2p和zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-n
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
度扭曲踩压，顶尖触地。恢复原状不超过20秒。良好的柔韧性能不怕车辆滚压和撞击。即使车辆撞上也不会造成第二次伤害。规格：ns-fz-03高：75厘米（上底直径80毫米，底座直径200毫
http://blog.alighting.cn/gzsyoo/archive/2010/4/12/39918.html2010/4/12 17:09:00
通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点
https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37
