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侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271741.html2012/4/10 23:30:25
led（light emittingdiode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
经能够与当今最先进的器件相匹敌。现在的一个关键问题是普瑞光电能否在量产中实现同样的性能。 如果可以，那么以硅为基础的制造方法应该能使成本大幅降低，因为目前的方法主要限于4英寸晶
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
灯。昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(GaN)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色led。2007年2月， philip s lumileds宣布le
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15
d产业在经历了从引进第一台四元系algainp/gaas mocvd设备和第一台GaN mocvd设备，研发出第一片高亮红、黄光外延材料和第一片高亮蓝、绿光外延材料，生产出第一批用
http://blog.alighting.cn/oumanlight/archive/2012/9/14/289954.html2012/9/14 16:28:54
