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成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组led的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smd电容c1，c2，c3和二极管d1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
量将被转移到led，只在肖特基二极管上有一些损耗。储存在电感中的能量为： eq1 系统可以以连续或非连续模式工作，两者之间的差别及对平均电流的影响将在后面部分中解释。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
白色发光二极管 利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
1)。 3材料选用 3．1陶瓷盖 led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷，在选用陶瓷盖材料时，除要求其理化性能与衬底基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134090.html2011/2/20 22:12:00
高光输出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133870.html2011/2/19 23:35:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
国的osram就是以这样的架构开发出“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
适的选择。开关式调节器的发展趋势是频率将更高，以减少电感/电容的体积。这对汽车应用而言，这总是最佳的解决方案。将频率保持在较低的水平有助于避免干扰问题。 基频的“抖动”或“扩展
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133830.html2011/2/19 23:19:00
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
