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荡器等的粘接。 bq-6885b柔韧性好；晶振、晶体管、石英谐振器、晶体振荡器专用，也可用于黑陶瓷封装及ptc陶瓷发热元件及其他需要耐高温的器件粘接。 bq-6886、6886
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http://blog.alighting.cn/tbuvtd6/archive/2010/1/29/26218.html2010/1/29 9:50:00
t的4wdemo，主要应用于10w以内的调光led灯泡以及10w-15 w之间的led模块/筒灯。此款产品兼容原有的照明控制器件，包括可控硅和晶体管调光器，支持大多数现有的调光解决方
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/23/180213.html2011/5/23 23:10:00
同,也可以将其分为无源矩阵显示器中的双扫描无源阵列显示器(dstn-lcd)和有源矩阵显示器中的薄膜晶体管有源阵列显示器(tft-lcd)。所谓dstn双扫描扭曲阵列,是液晶的一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229956.html2011/7/17 23:34:00
间晶格失配和热失配引发的外延片层中大量的晶格缺陷，从而进一步提高gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底 上( 6h-Sic或Si)采用两步工艺生长gan外延片层。然后对外延片膜进
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
量的晶格缺陷,从而进一步提高gan晶圆层的晶体质量。首先在合适的衬底 上( 6h-Sic或Si)采用两步制程生长gan晶圆层。然后对晶圆膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、Sic、Si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
基板的选择中，氧化铝(al2o3)及硅(Si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在Si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
