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LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

LED芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

LED芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

LED芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

LED芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

一些LED照明中驱动电源的设计要点和缺点

道LEDripple过大的话,LED寿命会受到影响,影响有多大,但目前没有具体的指标。2、芯片发热这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片,降低芯片的功耗,不要引入额外的功耗,做好散热。3

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