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量，结果显示，发现ingan具有很好的发光能力的原因是，因为在含有in的氮化物半导体中，电洞被由in和氮原子组成的集团（局部效应）有效的捕获，能量没有转化成热，而是有效的转化成了
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、劈刀（
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
s swan公司都已经开发出用于工业化生产的ⅲ族氮化物mocvd(lp-mocvd)设备。 2.2 mbe mbe是直接以ga的分子束作为ga源，以nh 3为n源，在衬底表面反应生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
、铝导电反光层，将多个led芯片、smd阻容元件和dis1xxx 系列浮压恒流集成芯片集成在一起。通过光刻和扩散工艺，在单晶硅层形成反向稳压二极管，用于泄放静电，以提高led的抗静
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
因如此，发光二极管灯泡将会从传统的电子设备指示灯中脱颖而出，成为照明领域的一可新星，导致一场新的照明革命。半导体超高亮度发光二极管（led），尤其是氮化物白光发光二极管，具有体积小
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00
白色发光二极管 利用gan(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热；甚至设计二次散热装
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
七、扩展结合工艺： 扩展结合工艺跟插齿工艺有些类似，先将铝或铜板做成鳍片，在高温下将鳍片插入带沟槽的散热器底部，不过扩展结合工艺在插入鳍片的同时还要塞入一个短铜片以产生过
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133446.html2011/2/18 14:22:00
4、可挠性制程散热片 可挠性散热片是先将铜或铝的薄板，以成型机折成一体成型的鳍片，然后用穿刺模将上下底板固定，再利用高周波金属熔接机，与加工过的底座焊接成一体，由于制程为连
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133428.html2011/2/18 13:52:00
加工成型技术 时下散热器的主流成型技术多为如下几类： 1、铝挤型散热片 铝挤压(extruded)技术：铝，作为地壳中含有量最高的金属，成本低是其主要特点，并
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133425.html2011/2/18 13:47:00
