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年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，大陆芯片已经通
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31
2年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，国内芯片已
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/2/15/264169.html2012/2/15 16:28:24
界范围内GaN基led产业发展来看，前五大公司美国cree,德国osram，荷兰philips，日本nichia以及toyodagosei等五家公司拥有80%～90%的原创性发明专
http://blog.alighting.cn/112017/archive/2012/2/16/264206.html2012/2/16 11:20:52
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268343.html2012/3/15 21:56:37
备中的指示灯。直到20世纪90年代中期，在取得了第三代半导体材料GaN的技术突破以及蓝、绿、白光发光二极管问世后，led已能发出各种颜色的光束，尤其是高亮度白光led的出现具有划时
http://blog.alighting.cn/xiongzhiqiang/archive/2012/3/16/268406.html2012/3/16 9:49:29
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271706.html2012/4/10 23:23:29
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271741.html2012/4/10 23:30:25
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279540.html2012/6/20 23:07:29
