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led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

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  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

南昌led产业发展势如长虹

底和美国cree公司垄断碳化衬底半导体照明技术的局面,形成了具有完全自主知识产权的led技术方案,在国内甚至国际上占领了led产业技术高地。2011年1月,科技部批准的半导体照

  http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/30/288681.html2012/8/30 19:16:16

新型发光材料前景无限好!

衬底发光二极管材料及器件”是一种新型发光材料与器件,即用“”代替传统的“蓝宝石”或“碳化”作衬底制造发光二极管材料及器件。

  https://www.alighting.cn/news/2007210/V7952.htm2007/2/10 13:29:36

信越化学工业开发出降低透气性的led用封装材料

asp系列在保持耐光性及耐热性的条件下,降低了材料存在的缺点——透气性。作为led的封装材料,透气性降低到了此前所用甲的1/100、苯的1/10左右。

  https://www.alighting.cn/news/20090611/120317.htm2009/6/11 0:00:00

科锐宣布扩产计划进展,将在美国纽约州建造全球最大sic制造工厂

9月23日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化(sic)技术全球领先企业的科锐宣布计划在美国东海岸创建碳化(sic)走廊,建造全球最大的碳化(sic)制造工厂。

  https://www.alighting.cn/news/20190924/164226.htm2019/9/24 13:33:07

led照明迎来好机会 2015年实施绿色建筑标准

led照明的led是由ⅲ-ⅳ族化合物,如砷化、磷化、磷砷化等半导体制成,它是利用固体半导体芯片作为发光材料。稀有金属在现代半导体工业应用广泛,主要以化合物砷化出现,占

  https://www.alighting.cn/news/20141230/107770.htm2014/12/30 9:41:07

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