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在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
w光效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标. 在上游衬底、外延、芯片方面，支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加
http://blog.alighting.cn/daoke3000/archive/2011/9/8/236019.html2011/9/8 13:48:46
采用自组装的方法(提拉法)在普通玻璃盖玻片衬底上制备了聚苯乙烯微球层,对其进行简单的热处理可获得类似微透镜的结构。利用折射率匹配液将其耦合在常规oleds的出光面,研究了其对器
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
把android平板远远地抛在后面，不过目前从目前零组件供应链得知的讯息与苹果过去的产品周期来推算，在2011年年底再推出新版ipad的可能性仍偏低。trendforce指出，从上
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/7/235968.html2011/9/7 21:45:28
目前，国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域，显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端，那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36
led应用市场扩增，除了金属有机物化学气相外延(mocvd)机台供不应求，造成芯片产能不及开出，上游芯片材料蓝宝石衬底也告急缺货。isuppli公司警告，2010年全球led供
http://blog.alighting.cn/pentiumD/archive/2011/9/6/235667.html2011/9/6 19:58:40
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后gan材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的tl-2212超导薄膜。xrd测试显示,薄膜为纯的tl-2212相,且其晶格c轴垂直于衬底表面。超导薄膜的tc
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
型芯片产业化水平达到80-90lm/w，更加接近国际产业化水平，在衬底设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术，如si衬底芯片光效达到70lm/w。 在200
http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01
