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化硅sic衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比较。评价衬底材料必须综合考虑下列因素：1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
led的发光??色和发光效率与氧作led的材料和氧程有关,目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由於led工作电压低(仅1.5-3v),能主动发光且有一定亮度,亮度又能用电压(或电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
目前导光板大多是利用塑胶射出成型的方式来制作,结构上大概是2.0-0.7mm的压克力板,当背光技术的趋势逐渐朝向利用led作为背光源的时候,相对的导光板的生产技术也随之困难,因为
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229910.html2011/7/17 23:09:00
本citizen等照明设备、led封装厂商,相继开发高功率led用简易散热技术,citizen在2004年开始样品出货的白光led封装,不需要特殊接合技术也能够将厚约2-3mm散热??
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不是完全没有机会,可以绕过专利地雷自行开创新的局面。这就需要仰赖智能与技术的结晶。白色光led 2003年出货可达12亿颗若是从性能层面来思考,要去专注的重点 ,不外乎“发光效率
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229907.html2011/7/17 23:08:00
8slc84-15功能及封装等完全兼容)的外部i/o端口不够用,所以采用两片cpld,一片专用于行扫描,另一片用于读取双口ram idt7132中的数据并进行列扫描。列扫描电路的功能是
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中,vturn-on 是led的启动电压??rs 表示伏安曲线的斜率??t 环境温度??δvf/δt是led正向电压的温度系数,对于多数led而言典型值为-2v/℃。??从le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229900.html2011/7/17 23:05:00
粉的效率需要较大幅度的提高。第 三种实现方法是在紫光或紫外光led芯片上涂敷三基色或多种颜色的荧光粉,利用该芯片发射的长波紫外光(370nm-380nm)或紫光(380nm -410n
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1.电压：led使用低压电源,供电电压在6-24v之间,根据产品不同而异,所以它是一个比使用高压电源更安全的电源,特别适用于公共场所。2.效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80
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线light emitting diode。主要以gaas系列材料发展为主,通常以lpe液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。gap磷化镓。磷化镓,是ⅲ-ⅴ族(三五族)元
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