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℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，led的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
近几年，业界开始大量采用led替代ccfl和el作为lcd的背光(背景光照明的简称)，与ccfl、el相比．led具有如下优点：1)可使lcd色彩更逼真，采用led背光町提供13
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230340.html2011/7/20 0:16:00
际上ingan/gan系led却能作高效率发光，换句话说ingan系led具有与以往led相异的发光机制。 inxga1-xn是由inn与gan所构成的三维化合物半导体，gan层属于近紫外led活性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
器组成的led显示屏控制图1系统的硬件结构框图系统，并通过rs485接口与现场总线中的上位机进行实时数据通信，实现整个系统的信息显示。1 系统硬件结构 该系统的硬件组成框图如图1所
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230336.html2011/7/20 0:14:00
n结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230337.html2011/7/20 0:14:00
动大功率led的新方法，这种解决方案能提供95%的效率、更长的使用寿命，并能承受更高的电气和机械冲击。图1：使用降压模式dc-dc转换器的led驱动。在图1所示的电路中，zxs
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230334.html2011/7/20 0:13:00
特的材料、工艺和限制。双浇铸工艺(图1)在单通道光学耦合器的双浇铸工艺中，led和 ic通过模具连接到两个不同的引线框和焊接线上。然后使用焊接把两个引线框组合在一起。在引线框焊接完毕
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230335.html2011/7/20 0:13:00
大的差距，同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年，但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器，像素密度达到5-6个／mm2。表
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230332.html2011/7/20 0:12:00
陷，本文提出了在p1口的部分口线上实现2x8阵列的中断方式键盘输入和脱机硬件动态显示的新方法。2 原 理2．1 硬件设计 硬件原理电路如图1所示。在8031(1c1)的p1．0～p1
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1 复杂可编程逻辑器件概述 复杂可编程逻辑器件(cpld)最早出现于80年代后期,由于其高速、设计灵活、成本低、延时可预测等特点,一经面世便得到广泛的应用。世界各主要pld厂
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