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采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
本文详细的介绍了led芯片发光过程中光的萃取以及效率的产生等基本原理，是不错的led外延芯片基础知识，共享于此，希望可以帮助大家学习!
https://www.alighting.cn/resource/20111019/127001.htm2011/10/19 13:47:34
关闭会津晶圆厂预计会淘汰目前会津厂约197个全职及94个合约职位。会津厂的所有产品将预计在2012年年初之前完成全部生产转移。安森美半导体团队将与生产产品来自会津厂的客户紧密合
https://www.alighting.cn/news/20111019/114370.htm2011/10/19 10:02:10
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gan作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延gan材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
时隔两年，2011年第三季又重新启动的晶圆代工降价风，看来不会单纯是偶发事件。台积电与联发科各自要守住44%与42%的毛利率底线，将使得未来代工厂与客户之间的价格角力赛，只会越演
https://www.alighting.cn/news/20111018/114646.htm2011/10/18 11:07:02
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
福建拥有居国际先进水平、国内领先的三安芯片外延制造和中科万邦封装等led关键技术，如何趁势而上、快速发展，占领全国乃至全球led产业的制高点?连日来，记者前往厦门、莆田、福州等
https://www.alighting.cn/news/20111017/n079735054.htm2011/10/17 9:26:42
