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杂荧光粉的制备工艺条件和有效激发波长，测量了eu2+离子不同掺杂含量对荧光粉发光特性的影
https://www.alighting.cn/2012/3/6 18:20:23
明的应用中一样，在由瞬态事件所引起的过热进行保护是一项重要设计考量因素。本文讨论了电路保护策略，它们将能够预防过热，同时还提供了在一个典型电路中的测量结
https://www.alighting.cn/resource/20111123/126858.htm2011/11/23 16:46:23
及红外粗糙因子 ,表明在较低的 ph值的nh4f-hcl溶液中腐蚀的si(1 1 1 )表面粗糙度较大,与通过扫描隧道显微镜 (stm)技术测量的结果基本一致
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59
验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显著。这一发现使得在以往理论研究中，用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解
https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25
n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
用线路图,绘制pcb版图,并对关键工艺提出解决办法,最后通过主要参数的测量验证该产品满足要求
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127299.htm2011/8/18 14:17:58
利用lp-mocvd生长了不同周期的algainp/gainp mqw样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127308.htm2011/8/16 11:30:27
