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4:bi3+,eu3+和m2si5N8:eu2+(m=ca,sr,ba)等；绿色荧光粉主要有：srga2s4:eu2+、m2sio4:eu2+(m=ca,sr,ba)和msi2N2o
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/7/27/58017.html2010/7/27 11:36:00
子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以led的抗震性能好。 led结构图如下图所示 led 发光原理 发光二极管的核心部分是由p型半导体和N型半导
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/29/59324.html2010/7/29 17:16:00
3. 建筑灯具与建筑照明装饰手册-中国建筑工业出版社4. cie国际照明技术委员会 N92 N01155. 建筑电气设计手册-中国建筑工业出版社 19996. 中国照明工程年鉴-中
http://blog.alighting.cn/chengshizhiguang/archive/2010/10/12/104920.html2010/10/12 16:59:00
而奠定了其在社会经济发展过程中的显著地位。一个事物的结果是由N个因素决定的，这就是多维的基本内涵，而一个区域的社会经济发展也离不开各种客观因素为导向的促进与深入，只要是N个因素都具
http://blog.alighting.cn/lixiaofeng0818/archive/2010/11/17/114725.html2010/11/17 16:17:00
结.因此它具有一般p-N结的i-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向下,电子由N区注入p区,空穴由p区注入N区.进入对方区域的少
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
构设计缓冲层生长N型gaN层生长多量子阱发光层生长p型gaN层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀N型电极（镀膜、退火、刻蚀）p型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
结不可能极端完美，元件的注人效率不会达到100%,也即是说，在led工作时除p区向N区注入电荷（空穴）外，N区也会向p区注人电荷（电子），一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
led是一种场致发光光源，其发光原理是在p-N结两端加上正向电压，则p区中空穴会流向N区。而N区中的电子会流向p区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量，其中一部分能量转化为
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00
