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改善散热结构提升白光led使用寿命

d的亮度已经降低一半以上,根本无法满足照明光源长寿命的基本要求。有关led的发光效率,改善晶片结构与封装结构,都可以达到与低功率白光led相同水?剩?主要原因是电流密度提高2倍以上

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229911.html2011/7/17 23:09:00

高亮度led的结构特点和应用

矩。led 尺寸小,还使汽车设计师能够把照明灯设计得体积较小,并将其设计成更符合汽车总体设计的要求。例如,一些汽车不是把 chmsl(中间高位刹车灯)模块安装在后盖板上,而是利用 le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229917.html2011/7/17 23:12:00

白光led照明驱动选择及其主要电路结构设计

制。在输出为高压,输出绕组匝数多,层数多时应考虑电容带来的危害,一般的设计主要考虑漏感的影响。同时,降低分布电容有利于抑制高频信号对负载的干扰。一般根据开关电源电路的要求提出漏感和分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00

gan外延片的主要生长方法

售。mocvd设备的发展趋势:研制大型化的mocvd设备。为了满足大规模生产的要求,mocvd设备更大型化。目前一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售,以后将会生产更大规模的设

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

分析el背光驱动工作原理

加。el场致发光灯的应用场合在绝大多数情况下是直流低压系统,比如电池 供电。但el场致发光灯必须用高压来驱动,通常要求驱动电路应高效率地把直流电压转换为频率为200hz到1khz、

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00

led外延生长工艺概述

却是所有电子工业的基矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶

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外延生长技术概述

产的mocvd设备。日本酸素公司生产的氮化镓-mocvd设备性能优良,但该公司的设备只在日本出售。mocvd设备的发展趋势:研制大型化的mocvd设备。为了满足大规模生产的要求,mocv

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半导体照明灯具系统设计概述

谱,所以存在色温偏高、显色指数偏低的问题,不符合普通照明要求。人眼对色差的敏感性大大高于对光强弱的敏感性,对照明而言,光源的显色性往往比发光效率更重要。所以加入适量发红光的荧光粉并

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led隧道照明灯具的节能分析

高的灯具效率、维护系数、显色指数、有效照度以及可任意设置的功率规格等特点,使得其在满足规范要求的条件下能耗大幅下降。因此,用led隧道灯简单替代高压钠灯,可实现50%的节能目标。图

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背光源(backlight)的起源发展及分类

轻,提供的光线均匀一致。它的功耗很低,要求的工作电压为80~100vac,提供工作电压的逆变器可把5/12/24vdc的输入变换为交流输出。但el背光源的使用寿命有限(在50%亮度条件

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