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http://blog.alighting.cn/w114749610/archive/2010/11/9/112989.html2010/11/9 14:46:00
7-5-1/prA3 en 60947-5-1:1997+ A1:1999+A2:2000+A12:1999低压开关设备和控制设备规范 第5-1部分：控制电路器件和开关元件机
http://blog.alighting.cn/ebozeng/archive/2010/11/9/113002.html2010/11/9 16:33:00
理设计（图1）使用了两个diS1020A 浮压恒流集成二极管分为两路恒流驱动各40个串联led，每路的工作电流为20mA。在硅基板上，采用扩散工艺制作了16个56v/10mA的稳压二
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
于ltc3783的大功率pwm led驱动电路 ltc3454是一种同步降压-升压型dc/dc转换器，为用单节锂离子电池输入以高达1A的电流驱动单个大功率led而优化。该器件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134147.html2011/2/20 23:06:00
-127b(e)矿用隔爆型泛光灯永嘉海洋王防爆灯bfc8920粉尘防爆内场强光泛光灯永嘉海洋王防爆灯dgS10127l（A）矿用隔爆型led巷道灯永嘉海洋王防爆灯jw7210节能强光防
http://blog.alighting.cn/wbb1335829909/archive/2011/5/14/178519.html2011/5/14 15:38:00
性结构，它们必须匹配应用的功率耗散要求。安森美半导体提供电流范围在10 mA到1 A之间的宽广范围线性led驱动器方案，包括新颖的线性恒流稳流器(ccr)方案及其它众多线性驱动器方
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/19/179693.html2011/5/19 8:31:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型gAn上淀积厚度大于500A的niAu层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
n上淀积厚度大于500A的niAu层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层，芯片尺寸为1mm×1mm，p型欧
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
在ingAn层上形成金属膜,之后再剥离蓝宝石。这样,金属膜就会?A生映射的效果而获得更多的光线取出,而根据oSrAm的资料显示,这样的结构可以获得75％的光取出效率。▲逐渐有业者利用覆
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
灯技术参数： 参数名称 单位 数值 输入电压dc v 12 光源 氙气灯泡 功率 w 35 ●光源氙气灯泡yfw6211A 光通量 lm 3300 ●光源氙气灯泡yfw6211
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/19/230187.html2011/7/19 8:27:00
