站内搜索
及工作台面接地等。(1)在生产过程中,要求工人必须佩带接地静电手环。尤其在切脚、插件、调试和后焊工序时,并且作好监察,品质人员必须最少每两个小时做一次手环静电测试,作好测试纪录。(
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00
端产品,才能投入实际应用,才能为顾客提供服务,使产业链环环相扣,无缝畅通。2 led封装的特殊性led封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,但却有很大的特殊性。一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
题；(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高；(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半；(4)由
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。led芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2沉积
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
本底杂质浓度进一步降低(一般达到1015cm-3)。由远红外光电导和光致发光研究表明,主要残留杂质是si、 ge、c和zn。(4)、n型P型外延层用的掺杂源的控制气体源：h2s、h
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvPe方法在其他衬底(如al2o3、sic、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如：ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴,在内建静电场的作用下,各自向相反方向运动,离开势垒区,结果使P区电势升高,n区电势降低,从而在外电路中
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00
及军用等,其中建筑景观照明是我国led最大的应用领域。2、成熟市场(1)建筑景观照明由于led光源具有节能环保、轻巧耐用、色彩丰富、简单易控、低压安全等一系列优点,在景观照明中具有广
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00
