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LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

LED芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

我国LED封装支架市场竞争格局 前景广阔

目前我国已经初步形成了包括LED外延片的生产、LED芯片的制备、LED芯片的封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链,并在下集成应用方面具有一定优势。LED从业人数达5万

  https://www.alighting.cn/news/20101109/93724.htm2010/11/9 13:59:28

能效跃至72% 欧司朗红外薄膜芯片原型再创新高

欧司朗光电导的红外线芯片原型产品创新纪录,效率最高可达72%。在实验室条件下,1a操作电流下的输出约为930 mw,这芯片的光输出比市面上目前可得的芯片高约25%,这表示,未

  https://www.alighting.cn/pingce/20121212/122029.htm2012/12/12 9:27:12

[LED报告] 2014LED照明产值将达到350-400亿美元

LED的上中下游产业中,下游应用和渠道具有较明显本土优势,中游封装也已经比较充分向中国转移,上游的芯片占比不高,但技术、规模壁垒正在突破。从封装和下游了解的情况来看,国内芯片

  https://www.alighting.cn/news/20140623/88044.htm2014/6/23 10:59:43

LED芯片寿命试验

介绍了LED芯片寿命试验过程,提出了寿命试验条件,完善的试验方案,消除可能影响寿命试验结果准确性的因素,保证了寿命试验结果的客观性和准确性。采用科学的试验线路和连接方式,使寿命试

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274748.html2012/5/16 21:29:36

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