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照，以Cree、osram、philip等五大led芯片巨头为代表的国外企业进军中国市场的形势咄咄逼人，他们欲垄断中国led照明市场的意图明显加强： ·Cree在保持2008年全
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261622.html2012/1/8 22:02:09
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261609.html2012/1/8 21:57:49
将全球四大led芯片厂商之一的Cree（科税）引入，惠州也因此成为Cree在北美以外的第一个led芯片生产基地；而作为制造业中心的东莞，也在2009年11月公布了《东莞市推进le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261603.html2012/1/8 21:55:25
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电流的功率型le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
为34.9%。美国Cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
用，都比较完善。可以很方便买到生产设备和原料，接单也容易。”重复建设成隐忧谨防蹈多晶硅覆辙据广东省省情调查研究中心相关报告显示，广东led企业主要位于产业链的中、下游，核心芯片特别是大
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261565.html2012/1/8 21:50:57
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
